台积电首次提及1.4nm工艺技术，2nm工艺按计划2025年量产-凯发官网首页

       台积电在近日举办的ieee国际电子器件会议（iedm）的小组研讨会上透露，其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开。同时，台积电重申，2nm级制程将按计划于2025年开始量产。

　　根据semianalysis的dylan patel给出的幻灯片，台积电的1.4nm制程节点正式名称为a14。it之家注意到，目前台积电尚未透露a14的量产时间和具体参数，但考虑到n2节点计划于2025年底量产，n2p节点则定于2026年底量产，因此a14节点预计将在2027-2028年问世。

　　在技术方面，a14节点不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（cfet）技术，不过台积电仍在探索这项技术。因此，a14可能将像n2节点一样，依赖于台积电第二代或第三代环绕栅极场效应晶体管（gaafet）技术。

　　n2和a14等节点将需要系统级协同优化，才能真正发挥作用，并实现新的性能、功耗和功能水平。

　　尚不清楚台积电是否计划在2027-2028年时间段为a14制程采用high-na euv光刻技术，考虑到届时英特尔（以及可能其他芯片制造商）将采用和完善下一代数值孔径为0.55的euv光刻机，台积电使用这些机器应该相当容易。然而，由于高数值孔径euv光刻技术将掩膜尺寸减半，其使用将给芯片设计人员和制造商带来一些额外的挑战。

　　当然，从现在到2027-2028年，很多事情都可能会发生变化，因此不能做出太多的假设。但可以肯定的是，台积电的科学家和开发人员正在致力于下一代生产节点的研发。